FeRAM почти рядом: флэш-память, которая быстрее чем ОЗУ

От слов учёные перешли к делу. Стараниями корейского доктора Shin Young-han технология памяти FeRAM вышла на новый уровень. По словам ученого, создан прототип «нового поколения» FeRAM. Образец имеет в основе сегнетоэлектрические материалы и по скоростным характеристикам в десять раз обгоняет самые быстрые образцы нынешних флэш-карт и SSD.

Заметим, что FeRAM, как и флэш-память, способна хранить данные без подачи электрического тока. В то же время сегнетоэлектрическая память работает на скорость близких к ОЗУ. Это означает возможность создания компьютера, данные в котором не теряются при очередном скачке напряжения в сети.

Работа FeRAM основывается на способности сегнетоэлектрических веществ менять структуру своей кристаллической решетки под воздействием электрического поля. Для чтения и записи информации по такой схеме требуются совсем незначительные затраты энергии, в то время срок хранения данных может исчисляться десятками лет. Будем надеяться, что завершение разработки FeRAM действительно не за горами.